JT030N065FED - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: JT030N065FED
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 67 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 160 pF
Тип корпуса: TO-220MF
Аналог (замена) для JT030N065FED
JT030N065FED Datasheet (PDF)
jt030n065wed jt030n065fed jt030n065sed.pdf
N N-CHANNEL IGBT RJT030N065WED/FED/SED MAIN CHARACTERISTICS Package 30 A IC 650V VCES 1.75V VCESAT-TYP APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS Motor Control FEATURES Low gate charge Trench F
jt030n065f7pd1e.pdf
IGBT IGBT Modules RIGBT JT030N065F7PD1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 30A 650V V CESVcesat_typ1.75V Vge=15V APPLICATIONS Auxiliary inverter Motor Drives air conditioning FEATURES FS Technology
jt030n065f6md1e.pdf
IGBT IGBT Modules RIGBT JT030N065F6MD1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 30A 650V V CESVcesat_typ1.75V Vge=15V APPLICATIONS Auxiliary inverter Motor Drives air conditioning FEATURES FS Technology
jt030n065aed.pdf
N N-CHANNEL IGBT RJT030N065AED MAIN CHARACTERISTICS Package I 30A CV 650V CESV -TYP 1.5V CE satAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS E FEATURES C G Low gate charge TO-3PH Trench FS Trench
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2