JT075N120GPED - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: JT075N120GPED
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 750 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 146 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
Тип корпуса: TO-247PLUS
Аналог (замена) для JT075N120GPED
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
JT075N120GPED даташит
jt075n120gped.pdf
N N-CHANNEL IGBT R JT075N120GPED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCE 1200V Vcesat-typ 1.9V APPLICATIONS General purpose Inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Technology Trench FS RoHS product Ro
jt075n120f2ma1e.pdf
IGBT IGBT Modules R IGBT JT075N120F2MA1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75 A 1200 V V CES Vcesat_typ 1.9V Vge=15V APPLICATIONS High Power Converters Motor Drives UPS UPS System FEATURES FS Techno
jt075n065wed.pdf
N N-CHANNEL IGBT R JT075N065WED MAIN CHARACTERISTICS Package IC 75A VCES 650V Vcesat-typ 1.75V @Vge=15V APPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,
Другие IGBT... JT05N065SAD , JT05N065RED , JT05N065SED , JT05N065FED , JT05N065CED , JT075K120F2MA1E , JT075N065GHED , JT075N120F2MA1E , IRGP4066D , JT100K120F2MA1E , JT150N120F2MA1E , JT450N120F2MH1E , JT450N120F2MHTE , JT600N065F2MH1E , JT600N120F2MH1E , JT600N120F2MHTE , TP015N120CA .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033