JT600N065F2MH1E Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: JT600N065F2MH1E
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1800 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 249 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 7380 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
JT600N065F2MH1E Datasheet (PDF)
jt600n065f2mh1e.pdf

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT600N065F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 600 A 650 V V CESVcesat_typ1.55V @Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES
jt600n120f2mh1e.pdf

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT600N120F2MH1E MAIN CHARACTERISTICS Package IC 600 A 1200 V V CESVcesat_typ1.95V @Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES
jt600n120f2mhte.pdf

N N-CHANNEL IGBT RIGBT JT600N120F2MHTE MAIN CHARACTERISTICS Package IC 600 A 1200 V V CESVcesat_typ1.95V Vge=15V APPLICATIONS Motor Drives Servo Drives UPS System UPS Wind Turbines FEATURES
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: VS-GB150TS60NPBF | NCE20TH60BP | GT25Q101
History: VS-GB150TS60NPBF | NCE20TH60BP | GT25Q101



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955