Справочник IGBT. TT025U120EQ

 

TT025U120EQ Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: TT025U120EQ
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 58 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 143 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 91.8 nC
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для TT025U120EQ

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TT025U120EQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1650K  jilin sino
 tt025u120eq.pdf pdf_icon

TT025U120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT025U120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 25 A VCES 1200V Vcesat-typ 2.3V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverters UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology,

 9.1. Size:1318K  jilin sino
 tt025n120fq.pdf pdf_icon

TT025U120EQ

N N-CHANNEL IGBT R TT025N120FQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 25 A VCES 1200V Vcesat-typ 1.6V Vge=15VAPPLICATIONS General purpose inverter FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS RoHS produ

 9.2. Size:2026K  jilin sino
 tt025n120eq.pdf pdf_icon

TT025U120EQ

N N-CHANNEL IGBT RTT025N120EQ MAIN CHARACTERISTICS Package 25A IC 1200V VCE 1.50V VCESAT-typ APPLICATIONS General purpose inverter FEATURES Low gate charge Trench FS Trench FS Technology RoHS RoHS product

Другие IGBT... TP020N120CA , TT010N060EQ , TT010N120EI , TT010N120EQ , TT015N060EQ , TT015N120EQ , TT025N120EQ , TT025N120FQ , IRG4PC50UD , TT030K065EQ , TT030N065EI , TT030U065FBA , TT030U065FQ , TT040K120EQ , TT040U060EQ , TT040U065FB , TT040U120EQ .

History: STGYA120M65DF2AG

 

 
Back to Top

 


 
.