TT030U065FBA - аналоги и описание IGBT

 

TT030U065FBA - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: TT030U065FBA

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 319 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 107 pF

Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для TT030U065FBA

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TT030U065FBA даташит

 ..1. Size:1324K  jilin sino
 tt030u065fba.pdf pdf_icon

TT030U065FBA

N N-CHANNEL IGBT R TT030U065FBA MAIN CHARACTERISTICS Package IC 30A VCES 650V Vcesat-typ 1.7V APPLICATIONS Power factor corrector PFC FEATURES Low gate charge Trench FS , Trench FS Technology, RoHS RoHS product

 4.1. Size:1033K  jilin sino
 tt030u065fq.pdf pdf_icon

TT030U065FBA

 9.1. Size:1641K  jilin sino
 tt030n065ei.pdf pdf_icon

TT030U065FBA

 9.2. Size:1002K  jilin sino
 tt030k065eq.pdf pdf_icon

TT030U065FBA

N N-CHANNEL IGBT R TT030K065EQ MAIN CHARACTERISTICS Package 30 A IC 650V VCES 1.7V VCE SAT-TYP APPLICATIONS PFC Power factor corrector (PFC) UPS UPS FEATURES Low gate charge Trench FS Technology Trench FS RoHS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TT010N120EQ , TT015N060EQ , TT015N120EQ , TT025N120EQ , TT025N120FQ , TT025U120EQ , TT030K065EQ , TT030N065EI , GT30G122 , TT030U065FQ , TT040K120EQ , TT040U060EQ , TT040U065FB , TT040U120EQ , TT050K065FQ , TT050U065FB , TT050U065FBC .

History: SGM200HF12A3TFD

 

 

 

 

↑ Back to Top
.