TT060U065FQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: TT060U065FQ  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 213 pF

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для TT060U065FQ

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

TT060U065FQ даташит

 ..1. Size:1078K  jilin sino
 tt060u065fq.pdf pdf_icon

TT060U065FQ

 4.1. Size:1176K  jilin sino
 tt060u065fb.pdf pdf_icon

TT060U065FQ

 6.1. Size:1344K  jilin sino
 tt060u060eq.pdf pdf_icon

TT060U065FQ

N N-CHANNEL IGBT R TT060U060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 60 A VCES 600V Vcesat-typ 1.9V Vge=15V APPLICATIONS Welding converters Power Factor Correction PFC Air Condition FEATURES Low gate charge Trench FS

 6.2. Size:1819K  jilin sino
 att060u060eq.pdf pdf_icon

TT060U065FQ

N N-CHANNEL IGBT R ATT060U060EQ MAIN CHARACTERISTICS Package IC 60 A VCE 650V Vcesat-typ 1.9V Vge=15V APPLICATIONS Welding converters Power Factor Correction PFC OBC FEATURES Low gate charge Trench FS Tech

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... TT040U060EQ, TT040U065FB, TT040U120EQ, TT050K065FQ, TT050U065FB, TT050U065FBC, TT060U060EQ, TT060U065FB, TGPF30N43P, TT075N065EQ, TT075N120EBC, TT075U065FBC, TT075U065FQB, TT100N120PF1E, BRG10N120D, BRG60N60D, BRGB6N65DP