NCE100ED65VT4 - аналоги и описание IGBT

 

NCE100ED65VT4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: NCE100ED65VT4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 606 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 206 pF

Тип корпуса: TO-247-4L

 Аналог (замена) для NCE100ED65VT4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NCE100ED65VT4 даташит

 ..1. Size:1119K  ncepower
 nce100ed65vt4.pdf pdf_icon

NCE100ED65VT4

NCE100ED65VT4 650V 100A Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation. Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.45V(Typ.) @ IC =

 2.1. Size:1092K  ncepower
 nce100ed65vtp4.pdf pdf_icon

NCE100ED65VT4

NCE100ED65VTP4 650V 100A Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation. Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.45V(Typ.) @ IC

 2.2. Size:1166K  ncepower
 nce100ed65vt.pdf pdf_icon

NCE100ED65VT4

NCE100ED65VT 650V 100A Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation. Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.45V(Typ.) @ IC =

 2.3. Size:1179K  ncepower
 nce100ed65vtp.pdf pdf_icon

NCE100ED65VT4

NCE100ED65VTP 650V 100A Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation. Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.45V(Typ.) @ IC =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BRG10N120D , BRG60N60D , BRGB6N65DP , BRGH15N120D , BRGH25N120D , NCE100ED65BT , NCE100ED65BT4 , NCE100ED65VT , CRG40T65AK5HD , NCE100ED65VTP , NCE100ED65VTP4 , NCE100ED75VT , NCE100ED75VT4 , NCE100ED75VTP4 , NCE100TD120BTP , NCE100TD120VTP , NCE100TD120VTP4 .

History: NXH80T120L2Q0 | MP6753

 

 

 

 

↑ Back to Top
.