NCE160ED65VTP - аналоги и описание IGBT

 

NCE160ED65VTP - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: NCE160ED65VTP

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 789 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 320 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 64 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 320 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для NCE160ED65VTP

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NCE160ED65VTP даташит

 ..1. Size:1569K  ncepower
 nce160ed65vtp.pdf pdf_icon

NCE160ED65VTP

NCE160ED65VTP 650V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation. Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.45V(Typ.) @ IC

 0.1. Size:1532K  ncepower
 nce160ed65vtp4.pdf pdf_icon

NCE160ED65VTP

NCE160ED65VTP4 650V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation. Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.45V(Typ.) @ I

 6.1. Size:1560K  ncepower
 nce160ed120vtp4.pdf pdf_icon

NCE160ED65VTP

NCE160ED120VTP4 1200V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 1200V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation. Features Trench FS Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.6V(Typ.) @ IC = 16

 6.2. Size:1602K  ncepower
 nce160ed120vtp.pdf pdf_icon

NCE160ED65VTP

NCE160ED120VTP 1200V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 1200V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation. Features Trench FS Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.6V(Typ.) @ IC = 160

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE15TD135LT , NCE15TD60BP , NCE15TD60BT , NCE15TD65BF , NCE15TD65BP , NCE15TD65BT , NCE160ED120VTP , NCE160ED120VTP4 , SGT50T65FD1PN , NCE160ED65VTP4 , NCE20TD60BP , NCE20TD60BT , NCE20TD65BD , NCE20TH60BF , NCE25TC120HD , NCE25TD120BD , NCE25TD120LP .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.