NCE160ED65VTP - аналоги и даташиты транзистора IGBT

 

NCE160ED65VTP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование: NCE160ED65VTP
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 789 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 320 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 64 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 320 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для NCE160ED65VTP

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NCE160ED65VTP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1569K  ncepower
 nce160ed65vtp.pdf pdf_icon

NCE160ED65VTP

NCE160ED65VTP650V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.45V(Typ.) @ IC

 0.1. Size:1532K  ncepower
 nce160ed65vtp4.pdf pdf_icon

NCE160ED65VTP

NCE160ED65VTP4650V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.45V(Typ.) @ I

 6.1. Size:1560K  ncepower
 nce160ed120vtp4.pdf pdf_icon

NCE160ED65VTP

NCE160ED120VTP41200V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 1200V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench FS Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.6V(Typ.) @ IC = 16

 6.2. Size:1602K  ncepower
 nce160ed120vtp.pdf pdf_icon

NCE160ED65VTP

NCE160ED120VTP1200V, 160A, Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 1200V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench FS Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.6V(Typ.) @ IC = 160

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE15TD135LT , NCE15TD60BP , NCE15TD60BT , NCE15TD65BF , NCE15TD65BP , NCE15TD65BT , NCE160ED120VTP , NCE160ED120VTP4 , SGT50T65FD1PN , NCE160ED65VTP4 , NCE20TD60BP , NCE20TD60BT , NCE20TD65BD , NCE20TH60BF , NCE25TC120HD , NCE25TD120BD , NCE25TD120LP .

History: DGW10N120CTL | SMBL1G300US60 | NCE160ED120VTP | JT050N120GPED

 

 
Back to Top

 


 
.