NCE40ED75VT - аналоги и описание IGBT

 

NCE40ED75VT - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: NCE40ED75VT

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 750 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 64 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для NCE40ED75VT

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NCE40ED75VT даташит

 ..1. Size:780K  ncepower
 nce40ed75vt.pdf pdf_icon

NCE40ED75VT

NCE40ED75VT 750V 40A Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 750V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation. Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.55V(Typ.) @ IC = 40

 7.1. Size:783K  ncepower
 nce40ed65bt.pdf pdf_icon

NCE40ED75VT

NCE40ED65BT 650V 40A Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation. Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.50V(Typ.) @ IC = 40

 7.2. Size:1119K  ncepower
 nce40ed65vt.pdf pdf_icon

NCE40ED75VT

NCE40ED65VT 650V 40A Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation. Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.45V(Typ.) @ IC = 40

 7.3. Size:1203K  ncepower
 nce40ed120vtp.pdf pdf_icon

NCE40ED75VT

NCE40ED120VTP 1200V 40A Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 1200V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation; Features Trench Field Stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.65V(Typ.) @ IC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE30TD65BD , NCE30TD65BP , NCE30TD65BT , NCE40ED120VT , NCE40ED120VTP , NCE40ED65BF , NCE40ED65BT , NCE40ED65VT , CRG15T120BNR3S , NCE40ER65BP , NCE40ER65BPF , NCE40ER65BT , NCE40EU65UT , NCE40T120VT , NCE40T120WD , NCE40T60BP , NCE40TD120LP .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.