Справочник IGBT. NCE40ED75VT

 

NCE40ED75VT Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NCE40ED75VT
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 750 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 64 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

NCE40ED75VT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:780K  ncepower
 nce40ed75vt.pdf pdf_icon

NCE40ED75VT

NCE40ED75VT750V 40A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 750V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.55V(Typ.) @ IC = 40

 7.1. Size:783K  ncepower
 nce40ed65bt.pdf pdf_icon

NCE40ED75VT

NCE40ED65BT650V 40A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.50V(Typ.) @ IC = 40

 7.2. Size:1119K  ncepower
 nce40ed65vt.pdf pdf_icon

NCE40ED75VT

NCE40ED65VT650V 40A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.45V(Typ.) @ IC = 40

 7.3. Size:1203K  ncepower
 nce40ed120vtp.pdf pdf_icon

NCE40ED75VT

NCE40ED120VTP1200V 40A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 1200V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation;Features Trench Field Stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.65V(Typ.) @ IC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: CM150DU-12F | 2MBI300NB-060 | NCE75ED120VT4 | JNG20T60PS | NGD15N41A | IGB20N65S5 | IRG4BC20KD

 

 
Back to Top

 


 
.