IXGP15N100C Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGP15N100C
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 95 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 73 nC
Тип корпуса: TO220
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXGP15N100C Datasheet (PDF)
ixgp15n100c.pdf

VCES =1000 VIXGA 15N100CIGBTIC25 = 30 AIXGP 15N100CVCE(sat) = 3.5 VLightspeed Seriestfi(typ) = 115 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1000 VTO-220AB (IXGP)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCEIC25 TC = 25C30 AIC90 TC = 90C15 AICM TC = 25C, 1 ms 60 ATO-263 AA (IXGA)
ixga15n100c ixgp15n100c.pdf

VCES =1000 VIXGA 15N100CIGBTIC25 = 30 AIXGP 15N100CVCE(sat) = 3.5 VLightspeed Seriestfi(typ) = 115 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1000 VTO-220AB (IXGP)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1000 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCEIC25 TC = 25C30 AIC90 TC = 90C15 AICM TC = 25C, 1 ms 60 ATO-263 AA (IXGA)
ixgp15n120b.pdf

IXGA 15N120B VCES = 1200 VHiPerFASTTM IGBTIXGP 15N120B IC25 = 30 AVCE(sat) = 3.2 Vtfi(typ) = 160 nsPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCEIC25 TC = 25C30 AIC90 TC = 90C15 AICM TC = 25C, 1 ms 60 ATO-263 AA
ixgp15n120b2.pdf

VCES =1200 VIXGA 15N120B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 30 AIXGP 15N120B2VCE(sat) = 3.5 VOptimized for 10-25 KHz hardtfi(typ) = 137 nsswitching and up to 150 KHzresonant switchingSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXGP)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCEIC25 TC = 2
Другие IGBT... IXGN50N60BD3 , IXGN60N60 , IXGP12N100 , IXGP12N100A , IXGP12N100AU1 , IXGP12N100U1 , IXGP12N60C , IXGP12N60CD1 , IHW15N120R3 , IXGP15N120B , IXGP20N100 , IXGP20N60B , IXGP7N60B , IXGP7N60C , IXGP8N100 , IXGR32N60C , IXGR32N60CD1 .
History: MPBQ50N120B | IGW40N60H3
History: MPBQ50N120B | IGW40N60H3



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc1328 | 2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent