NCE75ED75VT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: NCE75ED75VT  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 402 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 750 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 155 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для NCE75ED75VT

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

NCE75ED75VT даташит

 ..1. Size:799K  ncepower
 nce75ed75vt.pdf pdf_icon

NCE75ED75VT

NCE75ED75VT 750V 75A Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 750V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation. Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.55V(Typ.) @ IC = 75

 0.1. Size:752K  ncepower
 nce75ed75vt4.pdf pdf_icon

NCE75ED75VT

NCE75ED75VT4 750V 75A Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 750V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation. Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.55V(Typ.) @ IC = 7

 7.1. Size:1082K  ncepower
 nce75ed65vt4.pdf pdf_icon

NCE75ED75VT

NCE75ED65VT4 650V 75A Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation. Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.45V(Typ.) @ IC = 7

 7.2. Size:1129K  ncepower
 nce75ed65vt.pdf pdf_icon

NCE75ED75VT

NCE75ED65VT 650V 75A Trench FS Gen.7 IGBT General Description Using NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS (Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superior conduction and switching performances, and easy parallel operation. Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage V = 1.45V(Typ.) @ IC = 75

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE75ED120VT, NCE75ED120VT4, NCE75ED120VTP, NCE75ED120VTP4, NCE75ED65BT, NCE75ED65VT, NCE75ED65VT4, NCE75ED65VTP, BT60T60ANFK, NCE75ED75VT4, NCE75EU65UT, NCE75T120VT, NCE75TD120BT, NCE75TD120BT4, NCE75TD120BTP, NCE75TD120BTP4, NCE75TD120VT