Справочник IGBT. NCE75ED75VT4

 

NCE75ED75VT4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: NCE75ED75VT4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 402 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 750 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 155 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 158 nC
   Тип корпуса: TO-247-4L
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

NCE75ED75VT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:752K  ncepower
 nce75ed75vt4.pdf pdf_icon

NCE75ED75VT4

NCE75ED75VT4750V 75A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 750V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.55V(Typ.) @ IC = 7

 3.1. Size:799K  ncepower
 nce75ed75vt.pdf pdf_icon

NCE75ED75VT4

NCE75ED75VT750V 75A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 750V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.55V(Typ.) @ IC = 75

 7.1. Size:1082K  ncepower
 nce75ed65vt4.pdf pdf_icon

NCE75ED75VT4

NCE75ED65VT4650V 75A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.45V(Typ.) @ IC = 7

 7.2. Size:1129K  ncepower
 nce75ed65vt.pdf pdf_icon

NCE75ED75VT4

NCE75ED65VT650V 75A Trench FS Gen.7 IGBTGeneral DescriptionUsing NCE's proprietary high density trench gate design and advanced FS(Field Stop) Gen.7 technology, the 650V Trench FS Gen.7 IGBT offers superiorconduction and switching performances, and easy parallel operation.Features Trench field stop Gen.7 Technology Offering Low saturation voltage: V = 1.45V(Typ.) @ IC = 75

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NCE75ED120VT4 , NCE75ED120VTP , NCE75ED120VTP4 , NCE75ED65BT , NCE75ED65VT , NCE75ED65VT4 , NCE75ED65VTP , NCE75ED75VT , IRG4PH50UD , NCE75EU65UT , NCE75T120VT , NCE75TD120BT , NCE75TD120BT4 , NCE75TD120BTP , NCE75TD120BTP4 , NCE75TD120VT , NCE75TD120WT .

History: MMG50S170B

 

 
Back to Top

 


 
.