IXGP7N60B - Аналоги. Основные параметры
Наименование: IXGP7N60B
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 14 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 50 pF
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для IXGP7N60B
Технические параметры IXGP7N60B
ixga7n60b ixgp7n60b.pdf
VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGA 7N60B IC25 = 14 A IXGP 7N60B VCE(sat) = 2 V tfi = 150 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-263 AA (IXGA) IC25 TC = 25 C 14 A IC90 TC = 90 C 7 A ICM TC = 25 C, 1 ms 30 A G C (TAB) E SSOA
ixgp7n60b.pdf
VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGA 7N60B IC25 = 14 A IXGP 7N60B VCE(sat) = 2 V tfi = 150 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-263 AA (IXGA) IC25 TC = 25 C 14 A IC90 TC = 90 C 7 A ICM TC = 25 C, 1 ms 30 A G C (TAB) E SSOA
ixgp7n60bd1.pdf
Advanced Technical Information IXGA 7N60BD1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGP 7N60BD1 IC25 = 14 A with Diode VCE(sat) = 2.0 V tfi = 150ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V G C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 14 A TO-263 AA (IXGA) IC90 TC = 90 C 7
ixgp7n60cd1.pdf
IXGA 7N60CD1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGP 7N60CD1 IC25 = 14 A with Diode VCE(sat)typ = 2.0 V LightspeedTM Series tfi = 45 ns Preliminary Data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V G C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 14 A TO-263 AA (IXGA) IC90 TC
Другие IGBT... IXGP12N100AU1 , IXGP12N100U1 , IXGP12N60C , IXGP12N60CD1 , IXGP15N100C , IXGP15N120B , IXGP20N100 , IXGP20N60B , GT30F124 , IXGP7N60C , IXGP8N100 , IXGR32N60C , IXGR32N60CD1 , IXGR40N60BD1 , IXGR60N60U1 , IXGT15N120B , IXGT15N120BD1 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent







