Справочник IGBT. BLG15T65FUL-P

 

BLG15T65FUL-P - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BLG15T65FUL-P
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 136
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.4
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 14
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 43
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 44
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для BLG15T65FUL-P

 

 

BLG15T65FUL-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1007K  belling
 blg15t65ful-b blg15t65ful-p blg15t65ful-a.pdf

BLG15T65FUL-P BLG15T65FUL-P

BLG15T65FUL IGBT 1Description Step-Down Converter BLG15T65FUL is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized swi hing CE(sat) tcperformance and low gate charge Q . The IGBT is gsuitable device for BLDC, UPS, and low V CE(sat)applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CESI 1

 4.1. Size:979K  belling
 blg15t65fua-a blg15t65fua-b blg15t65fua-p.pdf

BLG15T65FUL-P BLG15T65FUL-P

BLG15T65FUA IGBT 1Description Step-Down Converter BLG15T65FUA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized switching CE(sat) performance and low gate charge Q . The IGBT is gsuitable device for BLDC, UPS, and high switching frequency applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top