BLG15T65FUL-A - аналоги и описание IGBT

 

BLG15T65FUL-A - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: BLG15T65FUL-A

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 43 pF

Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для BLG15T65FUL-A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BLG15T65FUL-A даташит

 ..1. Size:1007K  belling
 blg15t65ful-b blg15t65ful-p blg15t65ful-a.pdf pdf_icon

BLG15T65FUL-A

BLG15T65FUL IGBT 1 Description Step-Down Converter BLG15T65FUL is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized swi hing CE(sat) tc performance and low gate charge Q . The IGBT is g suitable device for BLDC, UPS, and low V CE(sat) applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CES I 1

 4.1. Size:979K  belling
 blg15t65fua-a blg15t65fua-b blg15t65fua-p.pdf pdf_icon

BLG15T65FUL-A

BLG15T65FUA IGBT 1 Description Step-Down Converter BLG15T65FUA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized switching CE(sat) performance and low gate charge Q . The IGBT is g suitable device for BLDC, UPS, and high switching frequency applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V

Другие IGBT... NCE80TC65BT , NCE80TD65BT4 , BLG10T65FUL-D , BLG15T65FUA-A , BLG15T65FUA-B , BLG15T65FUA-P , BLG15T65FUL-B , BLG15T65FUL-P , GT30J124 , BLG20T65FDLA-A , BLG20T65FDLA-P , BLG20T65FDLA-F , BLG20T65FDLA-B , BLG20T65FULA-P , BLG20T65FULA-A , BLG3040-D , BLG3040-B .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.