Справочник IGBT. BLG20T65FDLA-A

 

BLG20T65FDLA-A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BLG20T65FDLA-A
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 39
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 40
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.55
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
   Время нарастания типовое (tr), nS: 17
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 43
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 44
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для BLG20T65FDLA-A

 

 

BLG20T65FDLA-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1175K  belling
 blg20t65fdla-a blg20t65fdla-p blg20t65fdla-f blg20t65fdla-b.pdf

BLG20T65FDLA-A BLG20T65FDLA-A

BLG20T65FDLA IGBT 1Description Step-Down Converter BLG20T65FDLA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized CE(sat) switching performance and low gate charge Q . gThe IGBT is suitable device for BLDC, UPS, and low V applications. CE(sat)KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CESI

 5.1. Size:974K  belling
 blg20t65fula-p blg20t65fula-a.pdf

BLG20T65FDLA-A BLG20T65FDLA-A

BLG20T65FULA IGBT 1Description Step-Down Converter BLG20T65FULA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized CE(sat) switching performance and low gate charge Q . gThe IGBT is suitable device for BLDC, UPS, and low V applications. CE(sat)KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 650 V CESI

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top