Справочник IGBT. IXGR32N60CD1

 

IXGR32N60CD1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: IXGR32N60CD1

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 45A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 55

Корпус: ISO247

Аналог (замена) для IXGR32N60CD1

 

 

IXGR32N60CD1 Datasheet (PDF)

1.1. ixgr32n60cd1.pdf Size:571K _ixys

IXGR32N60CD1
IXGR32N60CD1

VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGR 32N60CD1 IC25 = 45 A with Diode VCE(SAT) = 2.7 V ISOPLUS247TM tfi(typ) = 55 ns (Electrically Isolated Backside) Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM (IXGR) E 153432 VCES TJ = 25C to 150C 600 V VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M? 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C IC25 TC = 25C45 A E Is

1.2. ixgr32n60cd1.pdf Size:569K _igbt_a

IXGR32N60CD1
IXGR32N60CD1

VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGR 32N60CD1 IC25 = 45 A with Diode VCE(SAT) = 2.7 V ISOPLUS247TM tfi(typ) = 55 ns (Electrically Isolated Backside) Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM (IXGR) E 153432 VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V G C IC25 TC = 25°

 1.3. ixgr32n60c.pdf Size:536K _igbt_a

IXGR32N60CD1
IXGR32N60CD1

IXGR 32N60C VCE = 600 V HiPerFASTTM IGBT IC25 = 45 A Lightspeed Series VCE(sat) = 2.7 V ISOPLUS247TM package tfi typ = 55 ns (Electrically Isolated Back Side) Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V G C Isolated Backside* VGEM Transie

Другие IGBT... IXGP15N100C , IXGP15N120B , IXGP20N100 , IXGP20N60B , IXGP7N60B , IXGP7N60C , IXGP8N100 , IXGR32N60C , IRG7IC28U , IXGR40N60BD1 , IXGR60N60U1 , IXGT15N120B , IXGT15N120BD1 , IXGT15N120C , IXGT15N120CD1 , IXGT20N100 , IXGT20N60B .

 

 
Back to Top