Справочник IGBT. BLG60T65FUL-F

 

BLG60T65FUL-F Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BLG60T65FUL-F
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: G60T65FUL
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.2 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 47 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 121 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 118 nC
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для BLG60T65FUL-F

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BLG60T65FUL-F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1113K  belling
blg60t65ful-f blg60t65ful-k blg60t65ful-w.pdfpdf_icon

BLG60T65FUL-F

BLG60T65FUL IGBT 1Description Step-Down Converter BLG60T65FUL is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized CE(sat) switching performance and low gate charge Q . gThe IGBT is suitable device for Photovoltaic, UPS, Boost and high switching frequency applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value

 5.1. Size:1143K  belling
blg60t65fdl-f blg60t65fdl-k blg60t65fdl-w.pdfpdf_icon

BLG60T65FUL-F

BLG60T65FDL IGBT 1Description Step-Down Converter BLG60T65FDL is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized CE(sat) switching performance and low gate charge Q . gThe IGBT is suitable device for Photovoltaic, UPS, Boost and high switching frequency applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value

 5.2. Size:1110K  belling
blg60t65fdk-f blg60t65fdk-k blg60t65fdk-w.pdfpdf_icon

BLG60T65FUL-F

BLG60T65FDK IGBT 1Description Step-Down Converter BLG60T65FDK is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V , optimized CE(sat) switching performance and low gate charge Q . gThe IGBT is suitable device for Photovoltaic, UPS, Boost and high switching frequency applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value

Другие IGBT... BLG50T65FKA-F , BLG50T65FLA-F , BLG60T65FDK-F , BLG60T65FDK-K , BLG60T65FDK-W , BLG60T65FDL-F , BLG60T65FDL-K , BLG60T65FDL-W , GT30F131 , BLG60T65FUL-K , BLG60T65FUL-W , BLG75T65FDK-F , BLG75T65FDL-F , BLG75T65FUK-F , BLQG3040A-D , BLQG3040A-B , BLQG3040-D .

History: 1MBI150NK-060 | IRGIB4620DPBF | MP6757 | RJH60D3DPE | SRE160N065FSUD8 | MG50Q6ES40 | APT50GT60BRDLG

 

 
Back to Top

 


 
.