Справочник IGBT. BLQG3040-B

 

BLQG3040-B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BLQG3040-B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 370 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 10 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 21 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 2600 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 68 pF
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для BLQG3040-B

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BLQG3040-B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:875K  belling
 blqg3040-d blqg3040-b.pdf pdf_icon

BLQG3040-B

BLQG3040 IGBT 1Description BLQG3040 is obtained by advanced ignition Step-Down Converter IGBTs technology which reduce the conduction loss, , enhance the SCIS capability. Internally integrated diodes can provide the voltage clamping without the need for external components. The IGBT is suitable device for automotive ignition circuits, specifically as a coil driver. K

 6.1. Size:868K  belling
 blqg3040a-d blqg3040a-b.pdf pdf_icon

BLQG3040-B

BLQG3040A IGBT 1Description BLQG3040A is obtained by advanced ignition Step-Down Converter IGBTs technology which reduce the conduction loss, , enhance the SCIS capability. Internally integrated diodes can provide the voltage clamping without the need for external components. The IGBT is suitable device for automotive ignition circuits, specifically as a coil driver.

Другие IGBT... BLG60T65FUL-K , BLG60T65FUL-W , BLG75T65FDK-F , BLG75T65FDL-F , BLG75T65FUK-F , BLQG3040A-D , BLQG3040A-B , BLQG3040-D , NGD8201N , BLQG50T65FCKA-F , BLQG50T65FDLA-F , BLQG50T65FDLA-K , BLQG50T65FDLA-W , RGT20TM65D , AMPBQ200N75GSFA , AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED .

 

 
Back to Top

 


 
.