Справочник IGBT. BLQG50T65FDLA-F

 

BLQG50T65FDLA-F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BLQG50T65FDLA-F
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 158 pF
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для BLQG50T65FDLA-F

 

 

BLQG50T65FDLA-F Datasheet (PDF)

 0.1. Size:960K  belling
 blqg50t65fdla-f blqg50t65fdla-k blqg50t65fdla-w.pdf

BLQG50T65FDLA-F BLQG50T65FDLA-F

BLQG50T65FDLA IGBT 1Description Step-Down Converter BLQG50T65FDLA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V (sat) , optimized CEswitching performance and low gate charge Qg. The IGBT is suitable device for Photovoltaic, UPS and high switching frequency applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V

 4.1. Size:938K  belling
 blqg50t65fcka-f.pdf

BLQG50T65FDLA-F BLQG50T65FDLA-F

BLQG50T65FCKA IGBT 1Description Step-Down Converter BLQG50T65FCKA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V (sat) , optimized CEswitching performance and low gate charge Qg. The IGBT is suitable device for Photovoltaic, UPS and high switching frequency applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top