BLQG50T65FDLA-F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BLQG50T65FDLA-F  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 44 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 158 pF

Тип корпуса: TO-247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BLQG50T65FDLA-F

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BLQG50T65FDLA-F даташит

 0.1. Size:960K  belling
 blqg50t65fdla-f blqg50t65fdla-k blqg50t65fdla-w.pdf pdf_icon

BLQG50T65FDLA-F

BLQG50T65FDLA IGBT 1 Description Step-Down Converter BLQG50T65FDLA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V (sat) , optimized CE switching performance and low gate charge Qg. The IGBT is suitable device for Photovoltaic, UPS and high switching frequency applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V

 4.1. Size:938K  belling
 blqg50t65fcka-f.pdf pdf_icon

BLQG50T65FDLA-F

BLQG50T65FCKA IGBT 1 Description Step-Down Converter BLQG50T65FCKA is obtained by advanced , Trench Field Stop (T-FS) technology which is characteristic with low V (sat) , optimized CE switching performance and low gate charge Qg. The IGBT is suitable device for Photovoltaic, UPS and high switching frequency applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V

Другие IGBT... BLG75T65FDK-F, BLG75T65FDL-F, BLG75T65FUK-F, BLQG3040A-D, BLQG3040A-B, BLQG3040-D, BLQG3040-B, BLQG50T65FCKA-F, GT45F122, BLQG50T65FDLA-K, BLQG50T65FDLA-W, RGT20TM65D, AMPBQ200N75GSFA, AMPBW50N65E, AMPBZ50N65ED, MPBC40N65EH, MPBD6N65ESF