Справочник IGBT. MPBD6N65ESF

 

MPBD6N65ESF - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MPBD6N65ESF
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: MP6N65ESF
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 100
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 10
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.4
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 36
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 33
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 25
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MPBD6N65ESF

 

 

MPBD6N65ESF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:842K  cn marching-power
 mpbd6n65esf mpbc6n65esf.pdf

MPBD6N65ESF MPBD6N65ESF

MPBX6N65ESF650V-6A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to Motor Drivespositive temperature coefficient in VCEsat Fan, Pumps, Vacuum Cleaner Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeCCMPBD6N65ESF MP6N65ESF TO-252MPB

Другие IGBT... BLQG50T65FDLA-F , BLQG50T65FDLA-K , BLQG50T65FDLA-W , RGT20TM65D , AMPBQ200N75GSFA , AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , MPBC40N65EH , SGT60N60FD1P7 , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , MPBD10N65EF , MPBP15N65EF , MPBA15N65EF , MPBC15N65EF .

 

 
Back to Top