MPBP10N65EF - аналоги и описание IGBT

 

MPBP10N65EF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MPBP10N65EF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 45 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для MPBP10N65EF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPBP10N65EF даташит

 ..1. Size:843K  cn marching-power
 mpbp10n65ef mpba10n65ef mpbd10n65ef.pdf pdf_icon

MPBP10N65EF

MPBX10N65EF 650V-10A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Motor Drives positive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsat fast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution G C E TO-220 Type Marking Package Code MPBP10N65EF MP10N65EF TO-220-3 MPBA10N65EF MP10N65EF

 9.1. Size:1071K  cn marching-power
 mpbp15n65ef mpba15n65ef mpbc15n65ef.pdf pdf_icon

MPBP10N65EF

MPBX15N65EF 650V-15A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Motor Drives positive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsat fast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution G C TO-220 E Type Marking Package Code C MPBP15N65EF MP15N65EF TO-220-3 MPBA15N65EF MP15N

Другие IGBT... RGT20TM65D , AMPBQ200N75GSFA , AMPBW50N65E , AMPBZ50N65ED , MPBC40N65EH , MPBD6N65ESF , MPBC6N65ESF , MPBL75N120BF , TGAN20N135FD , MPBA10N65EF , MPBD10N65EF , MPBP15N65EF , MPBA15N65EF , MPBC15N65EF , MPBP20N65EF , MPBA20N65EF , MPBC20N65EF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.