MPBC20N65EF - аналоги и описание IGBT

 

MPBC20N65EF - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MPBC20N65EF

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 39 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 69 pF

Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для MPBC20N65EF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MPBC20N65EF даташит

 ..1. Size:1121K  cn marching-power
 mpbp20n65ef mpba20n65ef mpbc20n65ef mpbw20n65ef mpbt20n65ef.pdf pdf_icon

MPBC20N65EF

MPBX20N65EF 650V-20A Trench and Field Stop IGBT Features Applications Easy parallel switching capability due to Motor Drives positive temperature coefficient in VCEsat Low VCEsat fast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distribution Type Marking Package Code MPBP20N65EF MP20N65EF TO-220 MPBA20N65EF MP20N65EF TO-220F MPBC20N6

Другие IGBT... MPBP10N65EF , MPBA10N65EF , MPBD10N65EF , MPBP15N65EF , MPBA15N65EF , MPBC15N65EF , MPBP20N65EF , MPBA20N65EF , NGTB75N65FL2 , MPBW20N65EF , MPBT20N65EF , MPBP40N65EH , MPBQ100N120E , MPBQ120N65GSF , MPBQ50N120B , MPBQ75N120BF , MPBQ75N120E .

History: ATT040K065EQ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.