MPBW50N65ES - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MPBW50N65ES
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: MP50N65ES
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 300
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.54
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 72
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 172
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 130
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для MPBW50N65ES
MPBW50N65ES Datasheet (PDF)
mpbw50n65es.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MPBW50N65ES650V-50A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW50N65ES MP50N65ES TO-247-
mpbw50n65eh.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MPBW50N65EH650V-50A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW50N65EH MP50N65EH TO-247-31Maximum Rated ValuesParameter Sy
ampbw50n65e.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AMPBW50N65E650V-50A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Automotive AEC-Q101 qualified UPS Easy parallel switching capability due to PFCpositive temperature coefficient in VCEsat PTC Heater Low VCEsatfast switching Climate Compressor High ruggedness, good thermal stability Very tight parameter distributionType Marking Package
mpbw50n65ed.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MPBW50N65ED650V-50A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW50N65ED MP50N65ED TO-247-
mpbw50n65e.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MPBW50N65E650V-50A Trench and Field Stop IGBTFeaturesApplications Easy parallel switching capability due to UPSpositive temperature coefficient in VCEsat PFC Low VCEsatfast switching PTC Heater High ruggedness, good thermal stability Climate Compressor Very tight parameter distributionType Marking Package CodeMPBW50N65E MP50N65E TO-247-3
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
![MPBW50N65ES](https://alltransistors.com/images/us.png)
![MPBW50N65ES](https://alltransistors.com/images/es.png)
![MPBW50N65ES](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
IGBT: DAZF150G120XCA | DAZF150G120SCA | DAZF100G170XCA | DAZF100G120XCA | DAZF100G120SCA | DAZF075G120XCA | DAZF075G120SCA | DAHF300G120SB | DAHF225G120SB | DAHF200G120SB | DAHF150G120SB