AOD5B65M1E - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: AOD5B65M1E
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 235 pF
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AOD5B65M1E
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
AOD5B65M1E даташит
aod5b65m1e.pdf
AOD5B65M1E TM 650V, 5A AlphaIGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Very fast and soft recovery freewheeling diode 650V High efficient turn-on di/dt controllability IC (TC=100 C) 5A Low VCE(sat) for low conduction losses VCE(sat) (TJ=25 C) 2.15V Soft switching performance and low EMI High electrostatic perfor
aod5b65m1.pdf
AOD5B65M1 TM 650V, 5A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 C) 5A Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 C) 1.57V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high efficiencies
aod5b65m1h.pdf
AOD5B65M1H TM 650V, 5A AlphaIGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 C) 5A Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 C) 1.57V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high efficiencies
aod5b65mq1e.pdf
AOD5B65MQ1E TM 650V, 5A AlphaIGBT With Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 5A C) IGBT copacked with very fast and soft antiparallel VCE(sat) (TJ=25 2.15V C) diode Very good EMI performance with lower turn-on switching losses
Другие IGBT... DAZF150G120SCA , DAZF150G120XCA , AOB10B65M1 , AOB15B65MQ1 , AOB20B65M1 , AOB30B65LN2V , AOB5B65M1 , AOBS30B65LN , RJP30E2DPP-M0 , AOD5B65M1H , AOD5B65MQ1E , AOD5B65N1 , AOD6B60M1 , AOD6B65MQ1E , AOD7B65M3 , AOD8B65MQ1 , AOGF40B65H2AL .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet




