AOD5B65M1H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: AOD5B65M1H
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.57 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AOD5B65M1H
AOD5B65M1H Datasheet (PDF)
aod5b65m1h.pdf
AOD5B65M1HTM650V, 5A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100C) 5A Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25C) 1.57V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high efficiencies
aod5b65m1e.pdf
AOD5B65M1ETM650V, 5A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE Very fast and soft recovery freewheeling diode 650V High efficient turn-on di/dt controllabilityIC (TC=100C) 5A Low VCE(sat) for low conduction lossesVCE(sat) (TJ=25C) 2.15V Soft switching performance and low EMI High electrostatic perfor
aod5b65m1.pdf
AOD5B65M1TM 650V, 5A Alpha IGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100C) 5A Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25C) 1.57V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high efficiencies
aod5b65mq1e.pdf
AOD5B65MQ1ETM 650V, 5A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT (IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 5AC) IGBT copacked with very fast and soft antiparallelVCE(sat) (TJ=25 2.15VC) diode Very good EMI performance with lower turn-on switching losses
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2