Справочник IGBT. AOD5B65M1H

 

AOD5B65M1H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOD5B65M1H
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 10 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.57 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.1 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 13 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 14 nC
   Тип корпуса: TO252
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

AOD5B65M1H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1088K  aosemi
aod5b65m1h.pdfpdf_icon

AOD5B65M1H

AOD5B65M1HTM650V, 5A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100C) 5A Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25C) 1.57V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high efficiencies

 5.1. Size:1255K  aosemi
aod5b65m1e.pdfpdf_icon

AOD5B65M1H

AOD5B65M1ETM650V, 5A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE Very fast and soft recovery freewheeling diode 650V High efficient turn-on di/dt controllabilityIC (TC=100C) 5A Low VCE(sat) for low conduction lossesVCE(sat) (TJ=25C) 2.15V Soft switching performance and low EMI High electrostatic perfor

 5.2. Size:765K  aosemi
aod5b65m1.pdfpdf_icon

AOD5B65M1H

AOD5B65M1TM 650V, 5A Alpha IGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100C) 5A Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25C) 1.57V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high efficiencies

 6.1. Size:773K  aosemi
aod5b65mq1e.pdfpdf_icon

AOD5B65M1H

AOD5B65MQ1ETM 650V, 5A AlphaIGBTWith Soft and Fast Recovery Anti-Parallel DiodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT (IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 5AC) IGBT copacked with very fast and soft antiparallelVCE(sat) (TJ=25 2.15VC) diode Very good EMI performance with lower turn-on switching losses

Другие IGBT... DAZF150G120XCA , AOB10B65M1 , AOB15B65MQ1 , AOB20B65M1 , AOB30B65LN2V , AOB5B65M1 , AOBS30B65LN , AOD5B65M1E , FGA25N120ANTD , AOD5B65MQ1E , AOD5B65N1 , AOD6B60M1 , AOD6B65MQ1E , AOD7B65M3 , AOD8B65MQ1 , AOGF40B65H2AL , AOGF60B65H2AL .

History: APTGT150DA120D3 | 2MBI200TA-060 | SKM50GH063DL

 

 
Back to Top

 


 
.