Справочник IGBT. IXGT20N60BD1

 

IXGT20N60BD1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGT20N60BD1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 55 nC
   Тип корпуса: TO268
 

 Аналог (замена) для IXGT20N60BD1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGT20N60BD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  ixys
 ixgt20n60bd1.pdf pdf_icon

IXGT20N60BD1

IXGH 20N60BD1HiPerFASTTM IGBT VCES = 600 VIXGT 20N60BD1with Diode IC25 = 40 AVCE(sat)typ = 1.7 Vtfi(typ) = 100 nsPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268(IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VEC (TAB)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-247 ADIC25 TC = 25C40 A(IXGH)IC90 TC = 90C20 A

 4.1. Size:79K  ixys
 ixgt20n60b.pdf pdf_icon

IXGT20N60BD1

VCES = 600 VIXGH 20N60BHiPerFASTTM IGBTIC25 = 40 AIXGT 20N60BVCE(sat)typ = 1.7 Vtfi(typ) = 100 nsPreliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (D3) (IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VG(TAB)EVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C40 ATO-247 AD (IXGH)IC90 TC = 90C20 AICM T

 7.1. Size:565K  ixys
 ixgt20n120b.pdf pdf_icon

IXGT20N60BD1

IXGH 20N120B VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIXGT 20N120B IC25 = 40 AVCE(sat) = 3.4 VPreliminary Data Sheet tfi(typ) = 160 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268(IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C40 ATO-247 AD (IXGH)IC110 TC = 110C20 AICM

 7.2. Size:568K  ixys
 ixgh20n120b ixgt20n120b.pdf pdf_icon

IXGT20N60BD1

IXGH 20N120B VCES = 1200 VHigh Voltage IGBTIXGT 20N120B IC25 = 40 AVCE(sat) = 3.4 VPreliminary Data Sheet tfi(typ) = 160 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268(IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C40 ATO-247 AD (IXGH)IC110 TC = 110C20 AICM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGR40N60BD1 , IXGR60N60U1 , IXGT15N120B , IXGT15N120BD1 , IXGT15N120C , IXGT15N120CD1 , IXGT20N100 , IXGT20N60B , SGT50T65FD1PT , IXGT24N60C , IXGT24N60CD1 , IXGT28N30 , IXGT28N30A , IXGT28N30B , IXGT28N60B , IXGT28N60D1 , IXGT28N90B .

 

 
Back to Top

 


 
.