Справочник IGBT. AOK20B135E1

 

AOK20B135E1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOK20B135E1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 86 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 58 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для AOK20B135E1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOK20B135E1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1683K  aosemi
 aok20b135e1.pdf pdf_icon

AOK20B135E1

AOK20B135E1TMAlpha IGBT with Diode1350V, 20AGeneral Description Product Summary Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology VCE1350V Best in Class VCE(SAT) enables high efficiencies IC (TC=100C) 20A Low turn-off switching loss due to fast turn-off time Very smooth turn-off current waveforms reduce EMI VCE(sat) (TC=25C) 1.8V Better thermal management Hig

 5.1. Size:713K  aosemi
 aok20b135d1.pdf pdf_icon

AOK20B135E1

AOK20B135D1TM 1350V, 20A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology VCE1350V Best in Class VCE(SAT) enables high efficiencies IC (TC=100C) 20A Low turn-off switching loss due to fast turn-off time Very smooth turn-off current waveforms reduce EMI VCE(sat) (TC=25C) 1.57V Better thermal management

 7.1. Size:1321K  aosemi
 aok20b120e1.pdf pdf_icon

AOK20B135E1

AOK20B120E1TMAlpha IGBT with Diode1200V, 20AGeneral Description Product Summary Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology VCE1200V Best in Class VCE(SAT) enables high efficiencies IC (TC=100C) 20A Low turn-off switching loss due to fast turn-off time Very smooth turn-off current waveforms reduce EMI VCE(sat) (TC=25C) 1.68V Better thermal management Hi

 7.2. Size:810K  aosemi
 aok20b120e2.pdf pdf_icon

AOK20B135E1

AOK20B120E2TM1200V, 20A Alpha IGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product Summary Latest Alpha IGBT ( IGBT) technology VCE1200V Best in Class VCE(sat) enables high efficiencies IC (TC=100C) 20A Low turn-off switching loss due to fast turn-off time VCE(sat) (TC=25C) 1.75V Very smooth turn-off current waveforms reduce EM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOD7B65M3 , AOD8B65MQ1 , AOGF40B65H2AL , AOGF60B65H2AL , AOK20B120D1 , AOK20B120E1 , AOK20B120E2 , AOK20B135D1 , RJH3047 , AOK20B65M1 , AOK20B65M2 , AOK30B120D2 , AOK30B135C1 , AOK30B135W1 , AOK30B65M2 , AOK40B120H1 , AOK40B120M1 .

History: 2MBI450VH-120-50 | BSM200GA120DN2S | AOTF5B60D | AIKW40N65DF5

 

 
Back to Top

 


 
.