Справочник IGBT. AOK40B65M3

 

AOK40B65M3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOK40B65M3
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 33 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 166 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 59 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для AOK40B65M3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOK40B65M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:997K  aosemi
 aok40b65m3.pdf pdf_icon

AOK40B65M3

AOK40B65M3TM650V,40A Alpha IGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100C) 40A Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25C) 1.95V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high efficiencie

 6.1. Size:535K  1
 aok40b65h2al.pdf pdf_icon

AOK40B65M3

AOK40B65H2ALTM650V, 40A Alpha IGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100C) 40A Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25C) 2.05V High efficient turn-on di/dt controllability Very high switching speed Low tu

 6.2. Size:1032K  aosemi
 aok40b65h2al.pdf pdf_icon

AOK40B65M3

AOK40B65H2ALTM650 V, 40A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100 40AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 2.05VC) High efficient turn-on di/dt controllability Very high switching speed Lo

 6.3. Size:569K  aosemi
 aok40b65hq1.pdf pdf_icon

AOK40B65M3

AOK40B65HQ1TM 650V, 40A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE650V 650V breakdown voltage Very high switching speedIC (TC=100 40AC) Very low Vf and QrrVCE(sat) (TJ=25 2.05VC) Low turn-off switching loss and softness Very good EMI behavior Latest AlphaIGBT technologyApplications U

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOK40B120M1 , AOK40B120N1 , AOK40B120P1 , AOK40B60D1 , AOK40B65H1 , AOK40B65HQ1 , AOK40B65HQ2 , AOK40B65HQ3 , IKW30N60H3 , AOK50B65H1 , AOK50B65M2 , AOK60B65H1 , AOK60B65H2AL , AOK60B65HQ3 , AOK60B65M3 , AOK75B60D1 , AOK75B65H1 .

History: RJH60D3DPE | SRE160N065FSUD8 | MP6757 | MG50Q6ES40 | APT50GT60BRDLG | IRGIB4620DPBF

 

 
Back to Top

 


 
.