Справочник IGBT. AOK50B65H1

 

AOK50B65H1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOK50B65H1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 4.9 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 73 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 198 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 76 nC
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

AOK50B65H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:583K  aosemi
 aok50b65h1.pdf pdf_icon

AOK50B65H1

AOK50B65H1TM650V, 50A Alpha IGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE650V Latest Alpha IGBT ( IGBT) technology 650V breakdown voltageIC (TC=100 50AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 1.9VC) High efficient turn-on di/dt controllability Very high switching speed Low

 6.1. Size:1338K  aosemi
 aok50b65m2.pdf pdf_icon

AOK50B65H1

AOK50B65M2TM650V, 50A Alpha IGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltageIC (TC=100C) 50A Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25C) 1.72V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high efficiencies

 7.1. Size:710K  aosemi
 aok50b60d1.pdf pdf_icon

AOK50B65H1

AOK50B60D1TM600V, 50A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary VCE600VThe Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100C) 50Aperformance in conduction and switching losses, withrobust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25C) 1.85Vof paralleling, minimal gate spike under high dV/dtconditions and resistance

Другие IGBT... AOK40B120N1 , AOK40B120P1 , AOK40B60D1 , AOK40B65H1 , AOK40B65HQ1 , AOK40B65HQ2 , AOK40B65HQ3 , AOK40B65M3 , SGH80N60UFD , AOK50B65M2 , AOK60B65H1 , AOK60B65H2AL , AOK60B65HQ3 , AOK60B65M3 , AOK75B60D1 , AOK75B65H1 , AOK75B65H1V .

 

 
Back to Top

 


 
.