AOT5B60D - аналоги и описание IGBT

 

AOT5B60D - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: AOT5B60D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 82.4 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 23 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 34 pF
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AOT5B60D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры AOT5B60D

 ..1. Size:645K  aosemi
 aot5b60d.pdf pdf_icon

AOT5B60D

AOT5B60D TM 600V, 5A Alpha IGBT with Diode General Description Product Summary VCE 600V The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100 C) 5A performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25 C) 1.55V of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance to o

 8.1. Size:1085K  aosemi
 aot5b65m1.pdf pdf_icon

AOT5B60D

AOT5B65M1/AOB5B65M1 TM 650V, 5A Alpha IGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT ( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 C) 5A Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 C) 1.57V High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(SAT) enables high eff

Другие IGBT... AOT10B60M1 , AOT10B65M1 , AOT10B65M2 , AOT10B65MQ2 , AOT15B60D , AOT15B65M3 , AOT15B65MQ1 , AOT20B65M1 , TGPF30N43P , AOT5B65M1 , AOT8B65M3 , AOTF10B60D2 , AOTF10B65M1 , AOTF10B65M2 , AOTF10B65MQ2 , AOTF15B60D2 , AOTF15B65M2 .

History: NGTB30N60FWG

 

 
Back to Top

 


 
.