Справочник IGBT. AOTF15B60D2

 

AOTF15B60D2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: AOTF15B60D2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.53 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 68 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 17.4 nC
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AOTF15B60D2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

AOTF15B60D2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:721K  aosemi
aotf15b60d2.pdfpdf_icon

AOTF15B60D2

AOTF15B60D2TM600V, 15A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary VCE600VThe Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100C) 15Aperformance in conduction and switching losses, withrobust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TJ=25C) 1.53Vof paralleling, minimal gate spike under high dV/dtconditions and resistance

 4.1. Size:733K  aosemi
aotf15b60d.pdfpdf_icon

AOTF15B60D2

AOTF15B60DTM600V, 15A Alpha IGBT with DiodeGeneral Description Product Summary VCE600VThe Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100C) 15Aperformance in conduction and switching losses, withrobust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25C) 1.6Vof paralleling, minimal gate spike under high dV/dtconditions and resistance t

 6.1. Size:558K  aosemi
aotf15b65m1.pdfpdf_icon

AOTF15B60D2

AOTF15B65M1TM 650V, 15A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT(IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 15AC) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.7VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficien

 6.2. Size:572K  aosemi
aotf15b65m3.pdfpdf_icon

AOTF15B60D2

AOTF15B65M3TM 650V, 15A AlphaIGBTWith soft and fast recovery anti-parallel diodeGeneral Description Product SummaryVCE Latest AlphaIGBT(IGBT) technology 650V 650V Breakdown voltageIC (TC=100 15AC) Very fast and soft recovery freewheeling diodeVCE(sat) (TJ=25 1.95VC) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienci

Другие IGBT... AOT20B65M1 , AOT5B60D , AOT5B65M1 , AOT8B65M3 , AOTF10B60D2 , AOTF10B65M1 , AOTF10B65M2 , AOTF10B65MQ2 , RJH60F7BDPQ-A0 , AOTF15B65M2 , AOTF15B65M3 , AOTF15B65MQ1 , AOTF20B65LN2 , AOTF20B65M1 , AOTF20B65M2 , AOTF5B65M1 , AOTF5B65M2 .

History: SRE100N120FSUDA | IXGH48N60A3 | AOK30B60D1 | NCE07TD60BF | APT150GN60JDQ4 | FGD3040G2-F085 | CM1800HC-34N

 

 
Back to Top

 


 
.