AOTF15B60D2 - аналоги и описание IGBT

 

AOTF15B60D2 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: AOTF15B60D2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.53 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 68 pF
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AOTF15B60D2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры AOTF15B60D2

 ..1. Size:721K  aosemi
 aotf15b60d2.pdf pdf_icon

AOTF15B60D2

AOTF15B60D2 TM 600V, 15A Alpha IGBT with Diode General Description Product Summary VCE 600V The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100 C) 15A performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TJ=25 C) 1.53V of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance

 4.1. Size:733K  aosemi
 aotf15b60d.pdf pdf_icon

AOTF15B60D2

AOTF15B60D TM 600V, 15A Alpha IGBT with Diode General Description Product Summary VCE 600V The Alpha IGBTTM line of products offers best-in-class IC (TC=100 C) 15A performance in conduction and switching losses, with robust short circuit capability. They are designed for ease VCE(sat) (TC=25 C) 1.6V of paralleling, minimal gate spike under high dV/dt conditions and resistance t

 6.1. Size:558K  aosemi
 aotf15b65m1.pdf pdf_icon

AOTF15B60D2

AOTF15B65M1 TM 650V, 15A AlphaIGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT( IGBT) technology 650V 650V breakdown voltage IC (TC=100 15A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.7V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficien

 6.2. Size:572K  aosemi
 aotf15b65m3.pdf pdf_icon

AOTF15B60D2

AOTF15B65M3 TM 650V, 15A AlphaIGBT With soft and fast recovery anti-parallel diode General Description Product Summary VCE Latest AlphaIGBT( IGBT) technology 650V 650V Breakdown voltage IC (TC=100 15A C) Very fast and soft recovery freewheeling diode VCE(sat) (TJ=25 1.95V C) High efficient turn-on di/dt controllability Low VCE(sat) enables high efficienci

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOT20B65M1 , AOT5B60D , AOT5B65M1 , AOT8B65M3 , AOTF10B60D2 , AOTF10B65M1 , AOTF10B65M2 , AOTF10B65MQ2 , SGT40N60FD2PT , AOTF15B65M2 , AOTF15B65M3 , AOTF15B65MQ1 , AOTF20B65LN2 , AOTF20B65M1 , AOTF20B65M2 , AOTF5B65M1 , AOTF5B65M2 .

 

 
Back to Top

 


 
.