DGC20F65M2 - аналоги и описание IGBT

 

DGC20F65M2 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: DGC20F65M2
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 24 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 85 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для DGC20F65M2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры DGC20F65M2

 ..1. Size:647K  cn wxdh
 dgc20f65m2.pdf pdf_icon

DGC20F65M2

DGC20F65M2 20A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 1 Description Using DongHai's proprietary Trench design and advance FS technology, the 650V FS IGBT offers superior and switching performances, high avalanche ruggedness easy parallel operation 2 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage VCE(sat), typ = 1.8V @ I =20A

Другие IGBT... AOTF20B65LN2 , AOTF20B65M1 , AOTF20B65M2 , AOTF5B65M1 , AOTF5B65M2 , AOTF8B65MQ1 , AOTS40B65H1 , G50T65D , IRG4PC40W , DGC40F120M2 , DGC40F65M2 , DGC40H120M2 , DGC50F65M2 , DGC60F65M , DGC75F120M2 , DGC75F65M , DGD06F65M2 .

 

 
Back to Top

 


 
.