DGC50F65M2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DGC50F65M2  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 102 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 134 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналог (замена) для DGC50F65M2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DGC50F65M2 даташит

 ..1. Size:720K  cn wxdh
 dgc50f65m2.pdf pdf_icon

DGC50F65M2

DGC50F65M2 50A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 1 Description Using DongHai's proprietary Trench design and advance FS technology, the 650V FS IGBT offers superior and switching performances, high avalanche ruggedness easy parallel operation 2 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage VCE(sat), typ = 1.8V @ IC =50

Другие IGBT... AOTF5B65M2, AOTF8B65MQ1, AOTS40B65H1, G50T65D, DGC20F65M2, DGC40F120M2, DGC40F65M2, DGC40H120M2, KGF75N65KDF, DGC60F65M, DGC75F120M2, DGC75F65M, DGD06F65M2, DGE20F65M2, DGF30F65M2, DHG60T65D, G25T120D