DGC60F65M Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DGC60F65M
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 104 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 135 pF
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для DGC60F65M
DGC60F65M Datasheet (PDF)
dgc60f65m.pdf

DGC60F65M60A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor1 DescriptionUsing DongHai's proprietary Trench design and advanceFS technology, the 650V FS IGBT offers superior andswitching performances, high avalanche ruggednesseasy parallel operation2 Features FS Trench Technology, Positive temperaturecoefficient Low saturation voltage: VCE(sat), typ = 1.9V@ I =60A
Другие IGBT... AOTF8B65MQ1 , AOTS40B65H1 , G50T65D , DGC20F65M2 , DGC40F120M2 , DGC40F65M2 , DGC40H120M2 , DGC50F65M2 , RJH60F7BDPQ-A0 , DGC75F120M2 , DGC75F65M , DGD06F65M2 , DGE20F65M2 , DGF30F65M2 , DHG60T65D , G25T120D , G40N120D .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: DHG20T65D | G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2
Popular searches
mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611