Справочник IGBT. DGC75F120M2

 

DGC75F120M2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DGC75F120M2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 165 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 230 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 340 nC
   Тип корпуса: TO247PLUS
 

 Аналог (замена) для DGC75F120M2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DGC75F120M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:791K  cn wxdh
 dgc75f120m2.pdf pdf_icon

DGC75F120M2

DGC75F120M2 75A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor 1 Description Using DongHai's proprietary Trench design and advance FS technology, the 1200V FS IGBT offers superior and switching performances, high avalanche ruggedness easy parallel operation 2 Features FS Trench Technology, Positive temperature coefficient Low saturation voltage: V , typ = 2.1V

 8.1. Size:944K  cn wxdh
 dgc75f65m.pdf pdf_icon

DGC75F120M2

DGC75F65M75A 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor1 DescriptionUsing DongHai's proprietary Trench design and advanceFS technology, the 650V FS IGBT offers superior andswitching performances, high avalanche ruggednesseasy parallel operation2 Features FS Trench Technology, Positive temperaturecoefficient Low saturation voltage: VCE(sat), typ = 1.7V@ I =75A

Другие IGBT... AOTS40B65H1 , G50T65D , DGC20F65M2 , DGC40F120M2 , DGC40F65M2 , DGC40H120M2 , DGC50F65M2 , DGC60F65M , FGPF4533 , DGC75F65M , DGD06F65M2 , DGE20F65M2 , DGF30F65M2 , DHG60T65D , G25T120D , G40N120D , G50T65DS .

 

 
Back to Top

 


 
.