JJT50N65UH - аналоги и описание IGBT

 

JJT50N65UH - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: JJT50N65UH

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 81 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 136 pF

Тип корпуса: TO3P

 Аналог (замена) для JJT50N65UH

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JJT50N65UH даташит

 ..1. Size:3697K  jiejie micro
 jjt50n65uh.pdf pdf_icon

JJT50N65UH

650V 50A Trench and Field Stop IGBT JJT50N65UH Key performance TO-3P V =650V CE I =50A@T =100 C C V =1.9V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. G C Easy parallel switching capability. E Benefits High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications PFC applications Welding machin

 5.1. Size:3693K  jiejie micro
 jjt50n65ue.pdf pdf_icon

JJT50N65UH

650V 50A Trench and Field Stop IGBT JJT50N65UE Key performance V =650V CE TO-247 I =50A@T =100 C C V =1.9V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. Easy parallel switching capability. G C E Benefits High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications PFC applications Welding machi

 6.1. Size:4943K  jiejie micro
 jjt50n65le.pdf pdf_icon

JJT50N65UH

650V 50A Trench and Field Stop IGBT JJT50N65LE Key performance V =650V CE TO-247 I =50A@T =100 C C V =1.7V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. Easy parallel switching capability. G C E Benefits High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications Inducting heating Resonant converters Microwave ovens Packag

 6.2. Size:4257K  jiejie micro
 jjt50n65he.pdf pdf_icon

JJT50N65UH

650V 50A Trench and Field Stop IGBT JJT50N65HE Key performance V =650V CE TO-247 I =50A@T =100 C C V =1.8V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. Easy parallel switching capability. G C E Benefits High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications PFC applications Uninterruptib

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JJT10N65SCD , JJT10N65SGD , JJT10N65SS , JJT10N65ST , JJT120N75SA , JJT50N65HE , JJT50N65LE , JJT50N65UE , FGA25N120ANTD , JJT15N120SE , JJT15N65SC , JJT15N65SG , JJT15N65SS , JJT15N65SY , JJT6N65SC , JJT6N65SS , JJT6N65ST .

History: HYG15P120A1K1

 

 

 


 
↑ Back to Top
.