JJT20N65SE - аналоги и описание IGBT

 

JJT20N65SE - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: JJT20N65SE

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 23 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 72 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для JJT20N65SE

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JJT20N65SE даташит

 ..1. Size:3385K  jiejie micro
 jjt20n65se.pdf pdf_icon

JJT20N65SE

650V 20A Trench and Field Stop IGBT JJT20N65SE Key performance TO-247 V =650V CE I =20A@T =100 C C V =1.6 V CE(sat) Features G High ruggedness performance. C E 10 s short circuit capability. Positive V temperature coefficient. CE (sat) High efficiency for motor control. Excellent current sharing in parallel operation. RoHS compliant.

 5.1. Size:3388K  jiejie micro
 jjt20n65sc.pdf pdf_icon

JJT20N65SE

650V 20A Trench and Field Stop IGBT JJT20N65SC Key performance TO-263 V =650V CE I =20A@T =100 C C V =1.6 V CE(sat) C Features G High ruggedness performance. E 10 s short circuit capability. Positive V temperature coefficient. CE (sat) High efficiency for motor control. Excellent current sharing in parallel operation. RoHS compliant.

 5.2. Size:3385K  jiejie micro
 jjt20n65ss.pdf pdf_icon

JJT20N65SE

650V 20A Trench and Field Stop IGBT JJT20N65SS Key performance V =650V CE TO-220F I =20A@T =100 C C V =1.6 V CE(sat) Features High ruggedness performance. 10 s short circuit capability. G C E Positive V temperature coefficient. CE (sat) High efficiency for motor control. Excellent current sharing in parallel operation. RoHS compliant

 5.3. Size:3418K  jiejie micro
 jjt20n65sy.pdf pdf_icon

JJT20N65SE

650V 20A Trench and Field Stop IGBT JJT20N65SY Key performance TO-220 V =650V CE I =20A@T =100 C C V =1.6 V CE(sat) Features High ruggedness performance. G C 10 s short circuit capability. E Positive V temperature coefficient. CE (sat) High efficiency for motor control. Excellent current sharing in parallel operation. RoHS compliant.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JJT6N65SC , JJT6N65SS , JJT6N65ST , JJT6N65STD , JJT75N120SA , JJT75N65HCN , JJT75N65HE , JJT20N65SC , IKW75N60T , JJT20N65SS , JJT20N65SY , JJT25N120SE , JJT25N135UE , JJT60N65HE , JJT60N65UE , JJT60N65UH , JJT40N120UE .

History: JJT6N65ST

 

 

 


 
↑ Back to Top
.