JJT30N65SY - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги JJT30N65SY. Основные параметры


   Наименование: JJT30N65SY
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 39 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 100 pF
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JJT30N65SY

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

JJT30N65SY даташит

 ..1. Size:3377K  jiejie micro
 jjt30n65sy.pdf pdf_icon

JJT30N65SY

650V 30A Trench and Field Stop IGBT JJT30N65SY Key performance TO-220 V =650V CE I =30A@T =100 C C V =1.7 V CE(sat) Features High ruggedness performance. G C 10 s short circuit capability. E Positive V temperature coefficient. CE (sat) High efficiency for motor control. Excellent current sharing in parallel operation. RoHS compliant.

 5.1. Size:3359K  jiejie micro
 jjt30n65ss.pdf pdf_icon

JJT30N65SY

650V 30A Trench and Field Stop IGBT JJT30N65SS Key performance V =650V CE TO-220F I =30A@T =100 C C V =1.7 V CE(sat) Features High ruggedness performance. 10 s short circuit capability. G C E Positive V temperature coefficient. CE (sat) High efficiency for motor control. Excellent current sharing in parallel operation. RoHS compliant

 5.2. Size:3803K  jiejie micro
 jjt30n65se.pdf pdf_icon

JJT30N65SY

650V 30A Trench and Field Stop IGBT JJT30N65SE Key performance V =650V CE TO-247 I =30A@T =100 C C V =1.7 V CE(sat) Features High ruggedness performance. 10 s short circuit capability. G C Positive V temperature coefficient. CE (sat) E High efficiency for motor control. Excellent current sharing in parallel operation. RoHS compliant.

 6.1. Size:2990K  jiejie micro
 jjt30n65ue.pdf pdf_icon

JJT30N65SY

650V 30A Trench and Field Stop IGBT JJT30N65UE Key performance V =650V CE TO-247 I =30A@T =100 C C V =1.8V CE(sat) Features Trench and field-stop technology. Easy parallel switching capability. G C E Benefits High efficiency for inverters. High ruggedness performance. RoHS compliant. Applications PFC applications Welding machi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JJT40N120UE , JJT40N135UE , JJT40N65HE , JJT40N65LE , JJT40N65UE , JJT40N65UH , JJT30N65SE , JJT30N65SS , FGPF4633 , JJT30N65UE , JJT40N120HE , JJT40N120SE , , , , , .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.