IXSA16N60 - аналоги и описание IGBT

 

IXSA16N60 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXSA16N60

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 32 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF

Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IXSA16N60

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSA16N60 даташит

 ..1. Size:54K  ixys
 ixsa16n60 ixsp16n60.pdf pdf_icon

IXSA16N60

Preliminary Data Sheet IXSA 16N60 VCES = 600V Low VCE(sat) IGBT IXSP 16N60 IC25 = 16A Short Circuit SOA Capability VCE(sat)typ = 1.8V TO-220AB(IXSP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V TO-263AA IC25 TC = 25 C32 A IC90 TC = 90 C16 A ICM TC = 25

 9.1. Size:589K  ixys
 ixsa10n60b2d1 ixsp10n60b2d1.pdf pdf_icon

IXSA16N60

High Speed IGBT IXSA 10N60B2D1 VCES = 600 V IXSP 10N60B2D1 with Diode IC25 = 20 A VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability Preliminary Data Sheet D1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXSA) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V E C (TAB) IC25 TC = 25 C20 A TO-220AB (IXSP)

 9.2. Size:82K  ixys
 ixsa15n120b.pdf pdf_icon

IXSA16N60

Advance Technical Information IXSA 15N120B VCES =1200 V HIGH Voltage IGBT IXSP 15N120B IC25 = 30 A VCE(sat) = 3.4 V "S" Series - Improved SCSOA Capability TO-220AB (IXSP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V C (TAB) G C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C30 A TO-263 AA (

 9.3. Size:586K  ixys
 ixsa10n60b2d1.pdf pdf_icon

IXSA16N60

High Speed IGBT IXSA 10N60B2D1 VCES = 600 V IXSP 10N60B2D1 with Diode IC25 = 20 A VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability Preliminary Data Sheet D1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXSA) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V E C (TAB) IC25 TC = 25 C20 A TO-220AB (IXSP)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXGT31N60D1 , IXGT32N60BD1 , IXGT32N60CD1 , IXGT50N60B , IXGT60N60 , IXGX120N60B , IXGX50N60AU1 , IXSA12N60AU1 , IRGP4063D , IXSH10N120A , IXSH10N120AU1 , IXSH15N120AU1 , IXSH15N120B , IXSH16N60U1 , IXSH20N60AU1 , IXSH20N60U1 , IXSH24N60 .

History: APT50GF60B2RD | APT45GP120J

 

 

 

 

↑ Back to Top
.