Справочник IGBT. IXSH16N60U1

 

IXSH16N60U1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSH16N60U1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 32 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 65 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXSH16N60U1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSH16N60U1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:35K  ixys
ixsh16n60u1.pdfpdf_icon

IXSH16N60U1

IXSH 16N60U1VCES = 600VLow VCE(sat) IGBTIC25 = 16Awith DiodeVCE(sat)typ = 1.8VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 ADVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 VC (TAB)GVGEM Transient 30 VCEIC25 TC = 25C32 AIC90 TC = 90C16 AG = Gate, C = Collecto

 9.1. Size:41K  ixys
ixsh10n120au1.pdfpdf_icon

IXSH16N60U1

IXSH10N120AU1PRELIMINARY DATA SHEETIC25 = 20 AIGBT with DiodeVCES = 1200 V"S" Series - Improved SCSOA CapabilityVCE(sat) = 4.0 VCSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-247ADIC25 TC = 25C 20 AIC90 TC = 90C 10 AICM TC = 25C, 1 ms 40

 9.2. Size:610K  ixys
ixsh10n60b2d1 ixsq10n60b2d1.pdfpdf_icon

IXSH16N60U1

High Speed IGBT IXSH 10N60B2D1VCES = 600 VIXSQ 10N60B2D1with Diode IC25 = 20 AShort Circuit SOA Capability VCE(sat) = 2.5 VPreliminary Data SheetD1Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VG(TAB)CEIC25 TC = 25C20 AIC110 TC = 110

 9.3. Size:54K  ixys
ixsh15n120b ixst15n120b.pdfpdf_icon

IXSH16N60U1

IXSH 15N120BHIGH Voltage IGBTIC25 = 30 AIXST 15N120BVCES = 1200 V"S" Series - Improved SCSOA CapabilityVCE(sat) = 3.4 VPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 VVGES Continuous 20 V(TAB)GVGEM Transient 30 VCEIC25 TC = 25C30 AIC90 TC = 90C15 ATO-2

Другие IGBT... IXGX120N60B , IXGX50N60AU1 , IXSA12N60AU1 , IXSA16N60 , IXSH10N120A , IXSH10N120AU1 , IXSH15N120AU1 , IXSH15N120B , GT45F122 , IXSH20N60AU1 , IXSH20N60U1 , IXSH24N60 , IXSH24N60A , IXSH24N60AU1 , IXSH24N60U1 , IXSH25N100 , IXSH25N100A .

History: SGL50N60RUFD | IXXX160N65B4 | MMG450D120B6TC | IXGH32N90B2 | 2MBI200UC-120 | IXBX75N170A | MII145-12A3

 

 
Back to Top

 


 
.