Справочник IGBT. IXSH30N60U1

 

IXSH30N60U1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSH30N60U1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 130 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 240 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 110 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXSH30N60U1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSH30N60U1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:81K  ixys
 ixsh30n60u1.pdf pdf_icon

IXSH30N60U1

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT with Diode IXSH 30 N60U1 600 V 50 A 2.5 VHigh Speed IGBT with Diode IXSH 30 N60AU1 600 V 50 A 3.0 VCombi PacksShort Circuit SOA CapabilityTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C50 AG = Gat

 ..2. Size:81K  ixys
 ixsh30n60u1 ixsh30n60au1.pdf pdf_icon

IXSH30N60U1

VCES IC25 VCE(sat)Low VCE(sat) IGBT with Diode IXSH 30 N60U1 600 V 50 A 2.5 VHigh Speed IGBT with Diode IXSH 30 N60AU1 600 V 50 A 3.0 VCombi PacksShort Circuit SOA CapabilityTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C50 AG = Gat

 5.1. Size:131K  ixys
 ixsh30n60 ixst30n60.pdf pdf_icon

IXSH30N60U1

VCES ICES tfiHigh Speed IGBTIXSH/IXST 30N60B 600 V 2.0 V 140 nsIXSH/IXST 30N60C 600 V 2.5 V 70 nsShort Circuit SOA CapabilityTO-247 AD (IXSH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 V(TAB)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-268 (D3) ( IXST)IC25 TC = 25C55 AIC90 TC = 90C30 AGICM

 5.2. Size:71K  ixys
 ixsh30n60cd1.pdf pdf_icon

IXSH30N60U1

High Speed IGBT with Diode IXSH 30 N60CD1VCES = 600 VIXSK 30 N60CD1IC25 = 55 AIXST 30 N60CD1VCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA Capabilitytfi = 70 nsPreliminary dataTO-247AD(IXSH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCVCES TJ = 25C to 150C 600 V EVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VTO-268 (D3)(IXST)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VCG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXSH25N120AU1 , IXSH30N60 , IXSH30N60A , IXSH30N60AU1 , IXSH30N60B , IXSH30N60BD1 , IXSH30N60C , IXSH30N60CD1 , IKW50N60H3 , IXSH35N100A , IXSH35N120A , IXSH35N140A , IXSH40N60 , IXSH40N60A , IXSH40N60B , IXSH45N100 , IXSH45N120 .

History: TA49051 | TA49015 | IXSH30N60A | IXGH45N120 | MIAA20WE600TMH | BSM150GAR120DN2 | BLG40T65FDK-F

 

 
Back to Top

 


 
.