IXSH50N60BS - аналоги и описание IGBT

 

IXSH50N60BS - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXSH50N60BS

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF

Тип корпуса: TO247SMD

 Аналог (замена) для IXSH50N60BS

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSH50N60BS даташит

 ..1. Size:287K  ixys
 ixsh50n60b ixsh50n60bs.pdf pdf_icon

IXSH50N60BS

 4.1. Size:73K  ixys
 ixsh50n60b.pdf pdf_icon

IXSH50N60BS

IXSH 50N60B IGBT High Speed V bp = 600 V I OR = 75 A Short Circuit SOA Capability V bE F = 2.5 V m = = Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G =Eq^_F VGES Continuous 20 V C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C, limited by leads 75 A G = Gate, C = Co

Другие IGBT... IXSH35N120A , IXSH35N140A , IXSH40N60 , IXSH40N60A , IXSH40N60B , IXSH45N100 , IXSH45N120 , IXSH50N60B , IKW40T120 , IXSK30N60BD1 , IXSK30N60CD1 , IXSK35N120AU1 , IXSK40N60BD1 , IXSK40N60CD1 , IXSK50N60AU1 , IXSK50N60BD1 , IXSK50N60BU1 .

History: SKM22GD123D | FGB3040CS | FGB3040G2-F085 | MG25Q6ES51 | FGHL75T65LQDT | FGI3236-F085

 

 

 

 

↑ Back to Top
.