Справочник IGBT. IXSH50N60BS

 

IXSH50N60BS Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSH50N60BS
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 70 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF
   Тип корпуса: TO247SMD
 

 Аналог (замена) для IXSH50N60BS

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSH50N60BS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  ixys
 ixsh50n60b ixsh50n60bs.pdf pdf_icon

IXSH50N60BS

 4.1. Size:73K  ixys
 ixsh50n60b.pdf pdf_icon

IXSH50N60BS

IXSH 50N60BIGBT High Speed V`bp = 600 VI`OR = 75 AShort Circuit SOA Capability V`bE~F = 2.5 Vm~=~~=Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VG`=Eq^_FVGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C, limited by leads 75 AG = Gate, C = Co

Другие IGBT... IXSH35N120A , IXSH35N140A , IXSH40N60 , IXSH40N60A , IXSH40N60B , IXSH45N100 , IXSH45N120 , IXSH50N60B , GT30G122 , IXSK30N60BD1 , IXSK30N60CD1 , IXSK35N120AU1 , IXSK40N60BD1 , IXSK40N60CD1 , IXSK50N60AU1 , IXSK50N60BD1 , IXSK50N60BU1 .

History: DAZF100G120XCA | HCKW60N65BH2A | IRGS4715D | IXGT64N60B3 | NGD8201B | DIM400GDM33-F | CM1200HCB-34N

 

 
Back to Top

 


 
.