Справочник IGBT. IXSK40N60BD1

 

IXSK40N60BD1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSK40N60BD1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2(max) V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF
   Тип корпуса: TO264
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXSK40N60BD1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  ixys
 ixsk40n60bd1.pdf pdf_icon

IXSK40N60BD1

IXSK 40N60BD1IGBT with Diode VCES = 600 VIXSX 40N60BD1PLUS247TM packageIC25 = 75 AVCE(sat) = 2.2 VShort Circuit SOA Capabilitytfi(typ) = 120 nsPreliminary dataPLUS 247TMSymbol Test Conditions Maximum Ratings(IXSX)VCES TJ = 25C to 150C 600 VC (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VGCVGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VTO-264 AAIC25 T

 5.1. Size:45K  ixys
 ixsk40n60cd1.pdf pdf_icon

IXSK40N60BD1

IXSK 40N60CD1IGBT with Diode VCES = 600 VIXSX 40N60CD1PLUS247TM packageIC25 = 75 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA Capabilitytfi(typ) = 70 nsPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXSX)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VC (TAB)GVGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C, li

Другие IGBT... IXSH40N60B , IXSH45N100 , IXSH45N120 , IXSH50N60B , IXSH50N60BS , IXSK30N60BD1 , IXSK30N60CD1 , IXSK35N120AU1 , IRG4PC50UD , IXSK40N60CD1 , IXSK50N60AU1 , IXSK50N60BD1 , IXSK50N60BU1 , IXSM30N60 , IXSM30N60A , IXSN35N100U1 , IXSN35N120AU1 .

History: SGT70N65FDM1P7 | BLG40T120FUH-F | GT80J101 | APTGF25X120E2 | MMG150S120B6TN | APTLGF210U120T | SGT20T60SD1T

 

 
Back to Top

 


 
.