IXSK40N60BD1 - аналоги и описание IGBT

 

IXSK40N60BD1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXSK40N60BD1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF

Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для IXSK40N60BD1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSK40N60BD1 даташит

 ..1. Size:45K  ixys
 ixsk40n60bd1.pdf pdf_icon

IXSK40N60BD1

IXSK 40N60BD1 IGBT with Diode VCES = 600 V IXSX 40N60BD1 PLUS247TM package IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.2 V Short Circuit SOA Capability tfi(typ) = 120 ns Preliminary data PLUS 247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXSX) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V G C VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V TO-264 AA IC25 T

 5.1. Size:45K  ixys
 ixsk40n60cd1.pdf pdf_icon

IXSK40N60BD1

IXSK 40N60CD1 IGBT with Diode VCES = 600 V IXSX 40N60CD1 PLUS247TM package IC25 = 75 A VCE(sat) = 2.5 V Short Circuit SOA Capability tfi(typ) = 70 ns Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM (IXSX) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 600 V C (TAB) G VGES Continuous 20 V C E VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C, li

Другие IGBT... IXSH40N60B , IXSH45N100 , IXSH45N120 , IXSH50N60B , IXSH50N60BS , IXSK30N60BD1 , IXSK30N60CD1 , IXSK35N120AU1 , IRG4PC50UD , IXSK40N60CD1 , IXSK50N60AU1 , IXSK50N60BD1 , IXSK50N60BU1 , IXSM30N60 , IXSM30N60A , IXSN35N100U1 , IXSN35N120AU1 .

History: IXSM30N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.