Справочник IGBT. IXSM30N60

 

IXSM30N60 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSM30N60
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5(max) V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 130 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 240 pF
   Тип корпуса: TO204
 

 Аналог (замена) для IXSM30N60

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSM30N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:263K  ixys
 ixsh30n60 ixsh30n60a ixsm30n60 ixsm30n60a.pdf pdf_icon

IXSM30N60

 9.1. Size:78K  ixys
 ixsm35n100a.pdf pdf_icon

IXSM30N60

High speed IGBT IXSH 35N100A VCES = 1000 VIXSM 35N100A IC25 = 70 AVCE(sat) = 3.5 VShort Circuit SOA CapabilitySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 1000 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1000 VVGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C70 AIC90 TC = 90C35 A TO-204 AE (IXSM)ICM TC = 25C, 1 ms 140 A

Другие IGBT... IXSK30N60BD1 , IXSK30N60CD1 , IXSK35N120AU1 , IXSK40N60BD1 , IXSK40N60CD1 , IXSK50N60AU1 , IXSK50N60BD1 , IXSK50N60BU1 , IRGB20B60PD1 , IXSM30N60A , IXSN35N100U1 , IXSN35N120AU1 , IXSN50N60BD2 , IXSN50N60BD3 , IXSN52N60AU1 , IXSN55N120A , IXSN55N120AU1 .

History: SRE60N065FSU2S8 | IGC05R60DE | IXSH30N60B | IRGB4B60KD1PBF | SPM1006 | IXGH40N60 | RJH60F6BDPQ-A0

 

 
Back to Top

 


 
.