IXSN35N100U1 - аналоги и описание IGBT

 

IXSN35N100U1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXSN35N100U1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 38 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.5(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 500 pF

Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXSN35N100U1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSN35N100U1 даташит

 ..1. Size:60K  ixys
 ixsn35n100u1.pdf pdf_icon

IXSN35N100U1

IGBT with Diode IXSN 35N100U1 VCES = 1000 V IC25 = 38 A VCE(sat) = 3.5 V High Short Circuit SOA Capability 3 2 4 1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B 1 VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V 2 VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1000 A VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V 4 IC25 TC = 25 C38 A 3 IC90 TC = 90 C25 A 1 = Emitter, 3 = Collector ICM

 6.1. Size:102K  ixys
 ixsn35n120au1.pdf pdf_icon

IXSN35N100U1

High Voltage IXSN 35N120AU1 VCES = 1200 V IGBT with Diode IC25 = 70 A VCE(sat) = 4 V 3 2 4 1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B 1 VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V 2 VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1200 A VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V 4 IC25 TC = 25 C70 A 3 IC90 TC = 90 C35 A 1 = Emitter , 3 = Collector 2 = Gate, 4 = Emitter I

Другие IGBT... IXSK35N120AU1 , IXSK40N60BD1 , IXSK40N60CD1 , IXSK50N60AU1 , IXSK50N60BD1 , IXSK50N60BU1 , IXSM30N60 , IXSM30N60A , MBQ40T65FDSC , IXSN35N120AU1 , IXSN50N60BD2 , IXSN50N60BD3 , IXSN52N60AU1 , IXSN55N120A , IXSN55N120AU1 , IXSN62N60U1 , IXSN80N60A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.