Справочник IGBT. IXSN80N60A

 

IXSN80N60A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSN80N60A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 220 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 650 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 335 nC
   Тип корпуса: SOT227B

 Аналог (замена) для IXSN80N60A

 

 

IXSN80N60A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  ixys
ixsn80n60a.pdf

IXSN80N60A
IXSN80N60A

VCES = 600 VHigh Current IGBTIXSN80N60AIC25 = 160 AVCE(sat) = 3 VShort Circuit SOA CapabilityGPreliminary DataEESymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC , SOT-227 B1VCES TJ = 25C to 150C 600 V2VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 AVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 V 43IC25 TC = 25C 160 AIC90 TC = 90C80 A1 = Emitter 3 = Collec

 0.1. Size:96K  ixys
ixsn80n60au1.pdf

IXSN80N60A
IXSN80N60A

IGBT with Diode IXSN 80N60AU1 VCES = 600 VIC25 = 160 AVCE(sat) = 3 VShort Circuit SOA CapabilityCGEESymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B E153432EVCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 AVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C 160 ACIC90 TC = 90C80 AE = Emitter , C = Collector

 5.1. Size:591K  ixys
ixsn80n60bd1.pdf

IXSN80N60A
IXSN80N60A

IGBT with Diode IXSN 80N60BD1 VCES = 600 VShort Circuit SOA Capability IC25 = 160 AVCE(sat) = 2.5 Vtfi = 180 nsCGPreliminary Data SheetEESymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B E153432EV TJ = 25C to 150C 600 VCESGV TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 ACGRV Continuous 20 VGESVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C (Silicon chip

Другие IGBT... IXSN35N100U1 , IXSN35N120AU1 , IXSN50N60BD2 , IXSN50N60BD3 , IXSN52N60AU1 , IXSN55N120A , IXSN55N120AU1 , IXSN62N60U1 , IRG4PH50UD , IXSN80N60AU1 , IXSP16N60 , IXST15N120B , IXST30N60B , IXST30N60BD1 , IXST30N60C , IXST30N60CD1 , IXST40N60B .

 

 
Back to Top