Справочник IGBT. IXST15N120B

 

IXST15N120B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXST15N120B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 98 pF
   Тип корпуса: TO268
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXST15N120B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:54K  ixys
 ixsh15n120b ixst15n120b.pdf pdf_icon

IXST15N120B

IXSH 15N120BHIGH Voltage IGBTIC25 = 30 AIXST 15N120BVCES = 1200 V"S" Series - Improved SCSOA CapabilityVCE(sat) = 3.4 VPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 VVGES Continuous 20 V(TAB)GVGEM Transient 30 VCEIC25 TC = 25C30 AIC90 TC = 90C15 ATO-2

 ..2. Size:53K  ixys
 ixst15n120b.pdf pdf_icon

IXST15N120B

IXSH 15N120BHIGH Voltage IGBTIC25 = 30 AIXST 15N120BVCES = 1200 V"S" Series - Improved SCSOA CapabilityVCE(sat) = 3.4 VPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 VVGES Continuous 20 V(TAB)GVGEM Transient 30 VCEIC25 TC = 25C30 AIC90 TC = 90C15 ATO-2

 0.1. Size:56K  ixys
 ixsh15n120bd1 ixst15n120bd1.pdf pdf_icon

IXST15N120B

IXSH 15N120BD1HIGH Voltage IGBTIC25 = 30 AIXST 15N120BD1with DiodeVCES = 1200 V"S" Series - Improved SCSOA CapabilityVCE(sat) = 3.4 VPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 V(TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C30 ATO-268 (

 0.2. Size:55K  ixys
 ixst15n120bd1.pdf pdf_icon

IXST15N120B

IXSH 15N120BD1HIGH Voltage IGBTIC25 = 30 AIXST 15N120BD1with DiodeVCES = 1200 V"S" Series - Improved SCSOA CapabilityVCE(sat) = 3.4 VPreliminary dataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 V(TAB)VGES Continuous 20 VGCVGEM Transient 30 VEIC25 TC = 25C30 ATO-268 (

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXSN50N60BD3 , IXSN52N60AU1 , IXSN55N120A , IXSN55N120AU1 , IXSN62N60U1 , IXSN80N60A , IXSN80N60AU1 , IXSP16N60 , IRG4PH50UD , IXST30N60B , IXST30N60BD1 , IXST30N60C , IXST30N60CD1 , IXST40N60B , IXSM40N60A , IXSM45N100 , IXSX35N120AU1 .

History: 2MBI400VD-060-50 | IXBF20N300 | SKM150GB124D | MSG15T120FPE | IRG4BC30F | SII200N06 | IXSN35N120AU1

 

 
Back to Top

 


 
.