Справочник IGBT. IXST30N60B

 

IXST30N60B Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXST30N60B
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 55 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 240 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 100 nC
   Тип корпуса: TO268
 

 Аналог (замена) для IXST30N60B

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXST30N60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  ixys
 ixst30n60b.pdf pdf_icon

IXST30N60B

VCES ICES tfiHigh Speed IGBTIXSH/IXST 30N60B 600 V 2.0 V 140 nsIXSH/IXST 30N60C 600 V 2.5 V 70 nsShort Circuit SOA CapabilityTO-247 AD (IXSH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 V(TAB)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VTO-268 (D3) ( IXST)IC25 TC = 25C55 AIC90 TC = 90C30 AGICM

 0.1. Size:117K  ixys
 ixst30n60bd1.pdf pdf_icon

IXST30N60B

High Speed IGBT with Diode IXSH 30N60BD1VCES = 600 VIXSK 30N60BD1IC25 = 55 AIXST 30N60BD1VCE(sat) = 2.0 VShort Circuit SOA Capabilitytfi = 140 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247AD(IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 600 VGVGES Continuous 20 VCEVGEM Transient 30 VTO-268 (D3)IC25 TC = 25C55 A(IXST)IC9

 0.2. Size:616K  ixys
 ixsh30n60b2d1 ixst30n60b2d1.pdf pdf_icon

IXST30N60B

High Speed IGBT IXSH 30N60B2D1VCES = 600 VIXST 30N60B2D1with Diode IC25 = 48 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VC (TAB)GCEIC25 TC = 25C48 AIC110 TC = 110C

 0.3. Size:518K  ixys
 ixst30n60b2d1.pdf pdf_icon

IXST30N60B

High Speed IGBT IXSH 30N60B2D1VCES = 600 VIXST 30N60B2D1with Diode IC25 = 48 AVCE(sat) = 2.5 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXSH)VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VC (TAB)GCEIC25 TC = 25C48 AIC110 TC = 110C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXSN52N60AU1 , IXSN55N120A , IXSN55N120AU1 , IXSN62N60U1 , IXSN80N60A , IXSN80N60AU1 , IXSP16N60 , IXST15N120B , GT60N321 , IXST30N60BD1 , IXST30N60C , IXST30N60CD1 , IXST40N60B , IXSM40N60A , IXSM45N100 , IXSX35N120AU1 , IXSX40N60CD1 .

History: DGTD120T40S1PT | IXGP20N60B

 

 
Back to Top

 


 
.