Справочник IGBT. IXSX35N120AU1

 

IXSX35N120AU1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXSX35N120AU1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4(max) V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 8 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 295 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 150 nC
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXSX35N120AU1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXSX35N120AU1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:86K  ixys
 ixsx35n120au1.pdf pdf_icon

IXSX35N120AU1

High Voltage IXSX 35N120AU1VCES = 1200 VIGBT with DiodeIC25 = 70 ACombi PackVCE(SAT) = 4 VShort Circuit SOA CapabilitySymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS TO-247TM(IXSX35N120AU1)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VC (TAB)GIC25 TC = 25C70 ACEIC90 TC = 90C35 AG = Ga

 4.1. Size:115K  ixys
 ixsx35n120bd1.pdf pdf_icon

IXSX35N120AU1

High VoltageIXSK 35N120BD1VCES = 1200 VIGBT with DiodeIXSX 35N120BD1IC25 = 70 AVCE(SAT) = 3.6 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary data sheetTO-264 AA(IXSK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 V CEVGES Continuous 20 VPLUS TO-247TMVGEM Transient 30 V(IXSX)IC25 TC = 25C70

 4.2. Size:118K  ixys
 ixsk35n120bd1 ixsx35n120bd1.pdf pdf_icon

IXSX35N120AU1

High VoltageIXSK 35N120BD1VCES = 1200 VIGBT with DiodeIXSX 35N120BD1IC25 = 70 AVCE(SAT) = 3.6 VShort Circuit SOA CapabilityPreliminary data sheetTO-264 AA(IXSK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VGVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1200 V CEVGES Continuous 20 VPLUS TO-247TMVGEM Transient 30 V(IXSX)IC25 TC = 25C70

Другие IGBT... IXST15N120B , IXST30N60B , IXST30N60BD1 , IXST30N60C , IXST30N60CD1 , IXST40N60B , IXSM40N60A , IXSM45N100 , IRGP4062D , IXSX40N60CD1 , IXSX50N60AU1 , IXSX50N60AU1S , IXSX50N60BD1 , IXSX50N60BU1 , KP730A , KP731A , KP810A .

History: FGHL40S65UQ | IXGA30N60C3 | 2MBI600NT-060 | SGW13N60UFD | BSM200GAL120DLC | SKM75GB176D

 

 
Back to Top

 


 
.